[Dag vun der Ried] YMIN PCIM presentéiert innovativ Kondensatorléisungen fir eng effizient Ëmsetzung vun Hallefleederapplikatiounen vun der drëtter Generatioun ze fërderen

PCIM Keynote

Shanghai, 25. September 2025—Haut um 11:40 Auer huet den Här Zhang Qingtao, Vizepresident vun der Shanghai YMIN Electronics Co., Ltd., um PCIM Asia 2025 Technology Forum an der Hall N4 vum Shanghai New International Expo Center eng Haaptried mam Titel "Innovativ Uwendungen vu Kondensatoren an neien Hallefleiterléisungen vun der drëtter Generatioun" gehalen.

D'Ried huet sech op déi nei Erausfuerderunge konzentréiert, déi duerch Hallefleitertechnologien vun der drëtter Generatioun wéi Siliziumkarbid (SiC) a Galliumnitrid (GaN) fir Kondensatoren ënner extremen Operatiounsbedingungen wéi héijer Frequenz, héijer Spannung an héijer Temperatur entstinn. D'Ried huet systematesch déi technologesch Duerchbréch vu YMIN-Kondensatoren a praktesch Beispiller fir d'Erreeche vun enger héijer Kapazitéitsdicht, engem niddregen ESR, enger laanger Liewensdauer an enger héijer Zouverlässegkeet virgestallt.

Schlësselpunkten

Mat der schneller Notzung vu SiC- a GaN-Komponenten an neien Energiefahrzeugen, photovoltaescher Energiespeicherung, KI-Serveren, industrielle Stroumversuergungen an anere Beräicher ginn d'Leeschtungsufuerderunge fir Ënnerstëtzungskondensatoren ëmmer méi streng. Kondensatoren sinn net méi nëmmen Ënnerstëtzungsrollen; si sinn elo de kritesche "Motor", deen d'Stabilitéit, d'Effizienz an d'Längslebensdauer vun engem System bestëmmt. Duerch Materialinnovatioun, Strukturoptimiséierung a Prozessupgrades huet YMIN ëmfaassend Verbesserunge bei Kondensatoren a véier Dimensiounen erreecht: Volumen, Kapazitéit, Temperatur a Zouverlässegkeet. Dëst ass entscheedend fir déi effizient Ëmsetzung vun Hallefleederapplikatioune vun der drëtter Generatioun ginn.

Technesch Erausfuerderungen

1. KI Server Stroumversuergungsléisung · Zesummenaarbecht mat Navitas GaN. Erausfuerderungen: Héichfrequenzschaltung (>100kHz), héije Ripplestroum (>6A) an Ëmfeld mat héijen Temperaturen (>75°C). Léisung:IDC3 SerieElektrolytkondensatoren mat nidderegem ESR, ESR ≤ 95mΩ, an eng Liewensdauer vun 12.000 Stonnen bei 105°C. Resultater: 60% Reduktioun vun der Gesamtgréisst, 1%-2% Verbesserung vun der Effizienz an 10°C Temperaturreduktioun.

2. NVIDIA AI Server GB300-BBU Backup-Stroumversuergung · Ersatz fir de japanesche Musashi. Erausfuerderungen: Plötzlech GPU-Stroumstéiss, Reaktioun op Millisekonnenniveau a Verschlechterung vun der Liewensdauer an Ëmfeld mat héijen Temperaturen. Léisung:LIC Quadrat-Superkondensatoren, internen Widderstand <1mΩ, 1 Millioun Zyklen, an 10-Minutte Schnellladung. Resultater: 50%-70% Reduktioun vun der Gréisst, 50%-60% Reduktioun vum Gewiicht, an Ënnerstëtzung fir 15-21kW Spëtzeleistung.

3. Infineon GaN MOS480W Schinne-Stroumversuergung als Ersatz fir déi japanesch Rubycon. Erausfuerderungen: Breete Betribstemperaturberäich vun -40°C bis 105°C, héichfrequent Ripple-Stroumstéiss. Léisung: Ultraniddreg Temperaturdegradatiounsquote <10%, Ripple-Stroumbeständegkeet vun 7,8A. Resultater: Starttester bei niddreger Temperatur bei -40°C an Zyklustester bei héijen an niddregen Temperaturen mat enger Bestandsquote vun 100% bestanen, wat d'Liewensdauerufuerderung vun der Schinneindustrie vun iwwer 10 Joer erfëllt.

4. Neit EnergiefahrzeugGläichstroum-Kondensatoren· Mat dem 300kW Motorcontroller vun ON Semiconductor zesummegepasst. Erausfuerderungen: Schaltfrequenz > 20kHz, dV/dt > 50V/ns, Ëmgéigungstemperatur > 105°C. Léisung: ESL < 3,5nH, Liewensdauer > 10.000 Stonnen bei 125°C, an 30% erhéicht Kapazitéit pro Volumeneenheet. Resultater: Gesamteffizienz > 98,5%, Leeschtungsdicht iwwer 45kW/L, an Batterielaufzäit ëm ongeféier 5% erhéicht. 5. GigaDevice 3,5kW Ladestapelléisung. YMIN bitt eng detailléiert Ënnerstëtzung.

Erausfuerderungen: D'PFC-Schaltfrequenz ass 70 kHz, d'LLC-Schaltfrequenz ass 94 kHz-300 kHz, de Ripplestroum op der Input-Säit klëmmt op iwwer 17 A, an den Anstieg vun der Kärtemperatur beaflosst d'Liewensdauer staark.
Léisung: Eng parallel Struktur mat ville Tabs gëtt benotzt fir ESR/ESL ze reduzéieren. Kombinéiert mam GD32G553 MCU an de GaNSafe/GeneSiC-Geräter gëtt eng Leeschtungsdicht vun 137 W/in³ erreecht.
Resultater: D'Spëtzeleffizienz vum System ass 96,2%, de PF ass 0,999 an den THD ass 2,7%, wat d'Ufuerderunge fir héich Zouverlässegkeet an eng Liewensdauer vun 10-20 Joer fir Opluedstatiounen fir Elektroautoen erfëllt.

Conclusioun

Wann Dir un innovativen Uwendungen vun Hallefleeder vun der drëtter Generatioun interesséiert sidd a wëllt léieren, wéi Kondensatorinnovatioun d'Systemleistung verbessere kann an international Marken ersetzen kann, da besicht w.e.g. de YMIN Stand, C56 an der Hal N5, fir eng detailléiert technesch Diskussioun!

邀请函 (1)


Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 26. September 2025