01 ëmfaassend Entwécklung an der 5g Ära: nei Ufuerderunge fir 5G Base Statiounen!
5G Base Statiounen bestinn aus BBU (Baseband Eenheet) an Ruri (Remote Radio Eenheet). D'Ru ass normalerweis méi no bei der Antennaen ze positionéiert, mat optesche Faser, déi de Bbu an RRU-a croaxial Kabelen verbënnt, déi d'Reduktioun fir Informatioun an Antenne verbannen. Verglach mat 3g a 4g, de BBU an de Rru am 5G muss d'Definualvolumen handhaben, mat méi héije Carrierf Frequenzen zu der instabiler Lëschte vun direkten Aktualiséierungen. Dëst erfuerdert niddereg Equivalent Serie Resistenz (ESR) Kapazitéit fir Filteren, eliminéieren, a schätzen de glatten aktuelle Flow.
02 Yin staped Kapaziteuren an Tantalumaccidentoren spillen wichteg Rollen
| Tipps | Serie | Stroumréckdeeg (V) | Capachity (UF) | Dimensioun (mm) | Temperatur (℃) | Liewensdauer (Stonnen) | Virdeel |
| Multilayer Polymer zolidd Aluminium elektrolymaticatitor | Mpd19 | 2.5 | 330:30 | 7.3 * 4.3 * 1.9 | -55 ~ + 105 | 2000 | Ultra-niddereg ESR 3Mω Mat Ultra-grouss Ripple aktuell 10200MA |
| 2.5 | 400 -0 | ||||||
| MPS | 2.5 | 400 -0 | |||||
| Mpd28 | 6.3 | 400 -0 | 7.3 * 4.3 * 2.8 | ||||
| 20 | 100ën | ||||||
| Kadsiv polymer Tantalum elektrolytic Fäegkeet | Tpb19 | 16 | 47 | 3.5 * 2.8 * 1.9 | -55 ~ + 105 | 2000 | Kleng Zort Grouss Kapazitéit Korrosioun Resistenz Héich -MSalitéit |
| 25 | 22 |
Mat de 5G Etappstiken, déi de Yim-Kryiter a Gerdelen virgeworf Dverstan ass exzellent Substitutitéit ze maachen. Krut déi staark gemaach Kruten hunn en Ultra-nidderegen Ers vun 3mνω, effektiv erausfonnt wéi eng Stabilitéitsleit verursaache fir d'Qualitéit an d'Stabilitéit ze garantéieren, fir d'Qualitéit an d'Stabilitéit ze garantéieren, fir d'Qualitéit a Stabilitéit ze garantéieren. De Kommunikatiounssapport andeete polalameranzeg Fäegkeeten an Effizienz Déi Uppée vun dësen Performrateuren ass gratis qualitativ fir eng héichwäerteg ze erreechen, d'Héichstoffer vun 5G Technologie.
A. Niddereg ESR (gläichwäerteg Serie Resistenz):Stacked Kapaziteuren a kondoresch Polymer Tantalumacimitore hunn extrem niddresch ERR, besonnesch staped Kapazitéit vun 3m Dëst bedeit net datt kann aus der ganzer Erseiquatiformien reduzéieren, kann d'Mooss einfach Effizinitéit verbesseren an dofir dinndéierend Operatiounsstatiounen verbesseren.
B. Héich Ripple aktuell Toleranz:STACKED Familismus a Kalal polymer polatalent Taltititonss Automatesch Prieditréieren, gëeegent Ernächen an 5G Basebedributer an 5G Basebedributer.
C. Héichstabilitéit:STACKED PRÄRKITONSOREN a Käschten Polymer Tontalum Taltitore bewisen eng héich Stabilitéit, déi hir elektresch Performance iwwer laangem Empressional Performance erhalen. Desechten ass virun der Zäit vun der Gegestaate wat d'Basisstatiounen kritt eng laangfristeg Operatiounsfinanzen an ass datt eng Ausléisungsinformitéit a Loscht.
03 Conclusioun
Ymin stackéiert Polyer zolitte Staatskreditaktoren a geleeënleche polyum Taltititonensitonen, wéi ultra-niddreger, héich Stabilitéit am Highrismus. Si bezuele sech effektiv d'Schmerzpunkter vun onbestänneg Energieversuergung fir aktiv Chips an 5g Base Statiounen, déi Produktinvitity an Zouaktivemperatur sinn och ënner Outemaritéit. Si bedenken Vertraue fir d'Entwécklung an d'Etablissement vu 5G Base Statiounen.
Postzäit: Jun-07-2024